高溫電阻測量系統(tǒng)

RMS1000S系列高溫半導體材料電阻率測量系統(tǒng)主要用于半導體材料導電性能的評估和測試，該系統(tǒng)采用四線電阻法測量原理進行設(shè)計開發(fā)，可以在高溫、真空氣氛的條件下測量半導體材料電阻和電阻率，可以分析被測樣品電阻和電阻率隨溫度、時間變化的曲線。

目前主要針對圓片、方塊、長條等測試樣品進行測試，廣泛用于半導體材料硅(si)、鍺(ge)、化合物半導體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)三元化合物半導體GaAsAl、GaAsP,固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測量。

高溫電阻測量系統(tǒng)功能特點

2 針對性質(zhì)不同的材料開發(fā)相應(yīng)的測試系統(tǒng)

2 多種保護措施，確保測試安全

2 溫度范圍廣：RT～600℃/1000℃

2 可實現(xiàn)惰性、氧化、還原、真空等多種氣氛測量

2 樣品壓力大0.25N，保證測量過程不損壞樣品

2 上電極半球狀+下電極平板狀設(shè)計，可以精確定位測量被測樣品某一點

半導體材料-2W法

半導體2W法計算公式

ρ=RS/L=Vs/IL

ρ =以厘米-歐姆為單位的電阻率

V =加載樣品上的電壓或電壓源輸出電壓

l =表示流過樣品的電流或電流源輸出電流

L =表示樣品的厚度

S =表示樣品橫截面積