電阻測(cè)量和監(jiān)控對(duì)于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都至關(guān)重要，從半導(dǎo)體制造到可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品。R50薄膜電阻測(cè)試儀(四探針、電渦流)在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測(cè)均進(jìn)行了優(yōu)化加強(qiáng)。

1.薄膜電阻測(cè)試儀四點(diǎn)探針法（4PP）

四個(gè)導(dǎo)電探針以可控力接觸導(dǎo)電層表面，被測(cè)導(dǎo)電層和襯底之間有非導(dǎo)電層擋層。標(biāo)準(zhǔn)4探針是在兩個(gè)外部探針之間施加電流并在兩個(gè)內(nèi)部探針之間測(cè)量電壓。測(cè)量電阻時(shí)，導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于兩個(gè)探針之間距離的1/2。

R50薄膜電阻測(cè)試儀(四探針、電渦流)開創(chuàng)了雙模技術(shù)，該技術(shù)允許測(cè)量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償功能。

2.電渦流法（EC）

線圈施加時(shí)變電流以產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)靠近導(dǎo)電表面時(shí)，該表面產(chǎn)生感應(yīng)時(shí)變電流（渦流）。這些電渦流也會(huì)產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號(hào)變化。

單個(gè)探頭位于樣品頂部，可以動(dòng)態(tài)的調(diào)整每個(gè)測(cè)量點(diǎn)的探頭高度，這對(duì)測(cè)量的準(zhǔn)確性和重復(fù)性至關(guān)重要。該方法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于接觸法測(cè)量的樣品。